0 0 0
  8. STH30N65DM6-7AG

Транзисторы с каналом N SMD STH30N65DM6-7AG

 
STH30N65DM6-7AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 562628
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
719.84 грн
2+
498.17 грн
5+
497.37 грн
6+
470.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
H2PAK7(1913303)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
0,115Ом(1738138)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
223Вт(1740792)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
46нКл(1479438)
Технологія
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
112А(1812410)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STH30N65DM6-7AG
STMicroelectronics
Артикул: 562628
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
719.84 грн
2+
498.17 грн
5+
497.37 грн
6+
470.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
H2PAK7
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
0,115Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
223Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
46нКл
Технологія
MDmesh™ DM6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
112А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g