0 0 0
  8. STN3NF06L

Транзистори з каналом N SMD STN3NF06L

 
STN3NF06L
 
STMicroelectronics
Артикул: 077580
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; 3,3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.93 грн
5+
40.37 грн
10+
35.76 грн
50+
28.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,3Вт(1607485)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,131 g
 
Транзистори з каналом N SMD STN3NF06L
STMicroelectronics
Артикул: 077580
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; 3,3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
69.93 грн
5+
40.37 грн
10+
35.76 грн
50+
28.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,131 g