0 0 0
  8. STN3P6F6

Транзистори з каналом P SMD STN3P6F6

 
STN3P6F6
 
STMicroelectronics
Артикул: 140981
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.13 грн
10+
51.86 грн
26+
39.05 грн
71+
36.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3838 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-2А(1492324)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2,6Вт(1449371)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,16 g
 
Транзистори з каналом P SMD STN3P6F6
STMicroelectronics
Артикул: 140981
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2А; 2,6Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.13 грн
10+
51.86 грн
26+
39.05 грн
71+
36.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3838 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-2А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,16 g