0 0 0
  8. STN4NF03L

Транзистори з каналом N SMD STN4NF03L

 
STN4NF03L
 
STMicroelectronics
Артикул: 077581
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.75 грн
25+
27.50 грн
46+
22.01 грн
126+
20.82 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5367 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,3Вт(1607485)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,166 g
 
Транзистори з каналом N SMD STN4NF03L
STMicroelectronics
Артикул: 077581
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
30.75 грн
25+
27.50 грн
46+
22.01 грн
126+
20.82 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5367 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,166 g