Транзистори з каналом N THT STP100N10F7

 
STP100N10F7
 
Артикул: 780525
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
216.11 грн
5+
193.86 грн
7+
148.58 грн
19+
140.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
70А(1441315)
Опір в стані провідності
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
61нКл(1479027)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,977 g
 
Транзистори з каналом N THT STP100N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 780525
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 70А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
216.11 грн
5+
193.86 грн
7+
148.58 грн
19+
140.63 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
70А
Опір в стані провідності
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
61нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,977 g