0 0 0
  8. STP10N60M2

Транзистори з каналом N THT STP10N60M2

 
STP10N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780516
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 4,9А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.64 грн
5+
98.52 грн
13+
78.66 грн
35+
74.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
4,9А(1441268)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13,5нКл(1611304)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP10N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780516
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 4,9А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
109.64 грн
5+
98.52 грн
13+
78.66 грн
35+
74.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
4,9А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13,5нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g