0 0 0
  8. STP110N10F7

Транзистори з каналом N THT STP110N10F7

 
STP110N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 780613
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.75 грн
5+
189.10 грн
7+
151.75 грн
18+
143.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
76А(1479432)
Опір в стані провідності
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
72нКл(1479338)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
415А(1960004)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP110N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 780613
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 76А; Idm: 415А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
209.75 грн
5+
189.10 грн
7+
151.75 грн
18+
143.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
76А
Опір в стані провідності
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
72нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
415А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g