0 0 0
  8. STP11N60DM2

Транзистори з каналом N THT STP11N60DM2

 
STP11N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780571
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.92 грн
5+
114.41 грн
11+
91.37 грн
30+
86.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
6,3А(1479155)
Опір в стані провідності
0,42Ом(1748259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
16,5нКл(1609963)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP11N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780571
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
127.92 грн
5+
114.41 грн
11+
91.37 грн
30+
86.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
6,3А
Опір в стані провідності
0,42Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
16,5нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g