0 0 0
  8. STP11N65M2

Транзистори з каналом N THT STP11N65M2

 
STP11N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780621
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.30 грн
5+
117.59 грн
11+
93.75 грн
29+
88.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
4,4А(1441573)
Опір в стані провідності
0,68Ом(1492533)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
85Вт(1618986)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
12,5нКл(1609817)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP11N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 780621
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.30 грн
5+
117.59 грн
11+
93.75 грн
29+
88.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
4,4А
Опір в стані провідності
0,68Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
12,5нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g