0 0 0
  8. STP11NK50Z

Транзистори з каналом N THT STP11NK50Z

 
STP11NK50Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
3+
97.73 грн
10+
88.99 грн
14+
74.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 631 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
6,3А(1479155)
Опір в стані провідності
0,52Ом(1702963)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g
 
Транзистори з каналом N THT STP11NK50Z
STMicroelectronics
Артикул: 080012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; 125Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.06 грн
3+
97.73 грн
10+
88.99 грн
14+
74.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 631 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
6,3А
Опір в стані провідності
0,52Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,96 g