0 0 0
  8. STP11NM60FD

Транзистори з каналом N THT STP11NM60FD

 
STP11NM60FD
 
STMicroelectronics
Артикул: 080014
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™; польовий; 600В; 7А; 160Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.16 грн
3+
156.58 грн
9+
122.23 грн
23+
115.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 188 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
160Вт(1701927)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
FDmesh™(1714016)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,975 g
 
Транзистори з каналом N THT STP11NM60FD
STMicroelectronics
Артикул: 080014
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™; польовий; 600В; 7А; 160Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.16 грн
3+
156.58 грн
9+
122.23 грн
23+
115.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 188 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
160Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
FDmesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,975 g