Транзистори з каналом N THT STP11NM60ND

 
STP11NM60ND
 
Артикул: 741291
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; польовий; 600В; 6,3А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.91 грн
3+
143.81 грн
9+
109.64 грн
25+
104.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 121 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
6,3А(1479155)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
90Вт(1701929)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
FDmesh™ II(1827837)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g
 
Транзистори з каналом N THT STP11NM60ND
STMicroelectronics
Артикул: 741291
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; польовий; 600В; 6,3А; 90Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
158.91 грн
3+
143.81 грн
9+
109.64 грн
25+
104.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 121 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
6,3А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
90Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
FDmesh™ II
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g