0 0 0
  8. STP120N4F6

Транзистори з каналом N THT STP120N4F6

 
STP120N4F6
 
STMicroelectronics
Артикул: 780518
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.37 грн
5+
135.07 грн
10+
107.26 грн
26+
101.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
STripFET™ H6(1823387)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
320А(1741662)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP120N4F6
STMicroelectronics
Артикул: 780518
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 40В; 80А; Idm: 320А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.37 грн
5+
135.07 грн
10+
107.26 грн
26+
101.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
65нКл
Технологія
STripFET™ H6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
320А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g