0 0 0
  8. STP12N65M5

Транзистори з каналом N THT STP12N65M5

 
STP12N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080018
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 5,4А; 70Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
162.97 грн
3+
147.00 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
5,4А(1441322)
Опір в стані провідності
0,43Ом(1758483)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
70Вт(1702087)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ V(1827832)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g
 
Транзистори з каналом N THT STP12N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080018
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 5,4А; 70Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
162.97 грн
3+
147.00 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
5,4А
Опір в стані провідності
0,43Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
70Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ V
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,94 g