0 0 0
  8. STP12NK80Z

Транзистори з каналом N THT STP12NK80Z

 
STP12NK80Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080020
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
150.19 грн
9+
111.05 грн
25+
105.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 96 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
6,6А(1479161)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMesh™(1710456)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,025 g
 
Транзистори з каналом N THT STP12NK80Z
STMicroelectronics
Артикул: 080020
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
150.19 грн
9+
111.05 грн
25+
105.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 96 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
6,6А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMesh™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,025 g