0 0 0
  8. STP13NM60ND

Транзистори з каналом N THT STP13NM60ND

 
STP13NM60ND
 
STMicroelectronics
Артикул: 780524
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; польовий; 600В; 6,93А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.89 грн
5+
119.18 грн
11+
95.34 грн
29+
90.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
6,93А(1638652)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
109Вт(1740780)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
24,5нКл(1790435)
Технологія
FDmesh™ II(1827837)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP13NM60ND
STMicroelectronics
Артикул: 780524
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; польовий; 600В; 6,93А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.89 грн
5+
119.18 грн
11+
95.34 грн
29+
90.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
6,93А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
109Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
24,5нКл
Технологія
FDmesh™ II
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g