0 0 0
  8. STP15N80K5

Транзистори з каналом N THT STP15N80K5

 
STP15N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 400302
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 8,8А; Idm: 56А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
320.33 грн
3+
287.82 грн
5+
229.94 грн
12+
217.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
8,8А(1628408)
Опір в стані провідності
0,375Ом(1638679)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
SuperMESH5™(1827829)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
56А(1789201)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP15N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 400302
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 8,8А; Idm: 56А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
320.33 грн
3+
287.82 грн
5+
229.94 грн
12+
217.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
8,8А
Опір в стані провідності
0,375Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
SuperMESH5™
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
56А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g