0 0 0
  8. STP16N60M2

Транзистори з каналом N THT STP16N60M2

 
STP16N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780638
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
142.22 грн
5+
127.92 грн
10+
102.49 грн
25+
101.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7,6А(1479167)
Опір в стані провідності
0,32Ом(1638678)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
19нКл(1479054)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP16N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780638
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
142.22 грн
5+
127.92 грн
10+
102.49 грн
25+
101.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7,6А
Опір в стані провідності
0,32Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
19нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g