0 0 0
  8. STP16N65M2

Транзистори з каналом N THT STP16N65M2

 
STP16N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780574
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 6,9А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.80 грн
5+
157.32 грн
8+
125.53 грн
22+
119.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
6,9А(1441283)
Опір в стані провідності
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
19,5нКл(1712987)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP16N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 780574
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 6,9А; Idm: 44А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
174.80 грн
5+
157.32 грн
8+
125.53 грн
22+
119.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
6,9А
Опір в стані провідності
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
19,5нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g