0 0 0
  8. STP18N55M5

Транзистори з каналом N THT STP18N55M5

 
STP18N55M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080039
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 550В; 10А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
202.98 грн
3+
183.16 грн
8+
140.34 грн
20+
132.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
550В(1492424)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
192мОм(1638690)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ V(1827832)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,938 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18N55M5
STMicroelectronics
Артикул: 080039
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 550В; 10А; 110Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
202.98 грн
3+
183.16 грн
8+
140.34 грн
20+
132.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
550В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ V
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,938 g