0 0 0
  8. STP18N60DM2

Транзистори з каналом N THT STP18N60DM2

 
STP18N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780477
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
188.30 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7,6А(1479167)
Опір в стані провідності
0,295Ом(1738133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780477
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 7,6А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
188.30 грн
5+
168.44 грн
8+
134.27 грн
21+
127.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7,6А
Опір в стані провідності
0,295Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g