0 0 0
  8. STP18N60M2

Транзистори з каналом N THT STP18N60M2

 
STP18N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 400303
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 8А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.39 грн
3+
134.21 грн
10+
103.06 грн
27+
97.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 31 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 400303
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 8А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
149.39 грн
3+
134.21 грн
10+
103.06 грн
27+
97.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 31 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ || Plus
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,95 g