Транзистори з каналом N THT STP18N60M6

 
STP18N60M6
 
Артикул: 780495
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
178.77 грн
5+
161.29 грн
8+
128.71 грн
22+
121.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8,2А(1492461)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
16,8нКл(1707127)
Технологія
MDmesh™ M6(1827833)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
38А(1825889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18N60M6
STMicroelectronics
Артикул: 780495
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
178.77 грн
5+
161.29 грн
8+
128.71 грн
22+
121.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8,2А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
16,8нКл
Технологія
MDmesh™ M6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
38А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g