0 0 0
  8. STP18N65M2

Транзистори з каналом N THT STP18N65M2

 
STP18N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780408
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 8А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
200.22 грн
5+
180.36 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
48А(1741686)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 780408
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 8А; Idm: 48А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
200.22 грн
5+
180.36 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
48А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g