0 0 0
  8. STP18NM60N

Транзистори з каналом N THT STP18NM60N

 
STP18NM60N
 
STMicroelectronics
Артикул: 780655
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.51 грн
10+
100.11 грн
28+
94.55 грн
2000+
91.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
8,2А(1492461)
Опір в стані провідності
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
MDmesh™ ||(1827830)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
52А(1789218)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP18NM60N
STMicroelectronics
Артикул: 780655
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 52А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
187.51 грн
10+
100.11 грн
28+
94.55 грн
2000+
91.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
8,2А
Опір в стані провідності
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35нКл
Технологія
MDmesh™ ||
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
52А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g