0 0 0
  8. STP22N60M6

Транзистори з каналом N THT STP22N60M6

 
STP22N60M6
 
STMicroelectronics
Артикул: 780608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 9,5А; Idm: 42А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
188.30 грн
5+
169.23 грн
7+
155.73 грн
18+
147.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
9,5А(1479197)
Опір в стані провідності
0,23Ом(1503652)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
130Вт(1701963)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
MDmesh™ M6(1827833)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
42А(1789234)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP22N60M6
STMicroelectronics
Артикул: 780608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 9,5А; Idm: 42А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
188.30 грн
5+
169.23 грн
7+
155.73 грн
18+
147.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
9,5А
Опір в стані провідності
0,23Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
130Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нКл
Технологія
MDmesh™ M6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
42А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g