0 0 0
  8. STP23NM50N

Транзистори з каналом N THT STP23NM50N

 
STP23NM50N
 
STMicroelectronics
Артикул: 400305
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 500В; 11А; Idm: 68А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
185.96 грн
3+
166.89 грн
8+
128.74 грн
22+
121.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
MDmesh™ ||(1827830)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
68А(1785979)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP23NM50N
STMicroelectronics
Артикул: 400305
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 500В; 11А; Idm: 68А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
185.96 грн
3+
166.89 грн
8+
128.74 грн
22+
121.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
MDmesh™ ||
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
68А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g