0 0 0
  8. STP25N60M2-EP

Транзистори з каналом N THT STP25N60M2-EP

 
STP25N60M2-EP
 
STMicroelectronics
Артикул: 780576
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 11,3А; Idm: 72А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.67 грн
5+
200.22 грн
7+
159.70 грн
17+
150.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
11,3А(1599918)
Опір в стані провідності
188мОм(1805247)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
29нКл(1479212)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
72А(1789194)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
Артикул: 780576
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 11,3А; Idm: 72А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
221.67 грн
5+
200.22 грн
7+
159.70 грн
17+
150.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
11,3А
Опір в стані провідності
188мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
29нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
72А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g