0 0 0
  8. STP26N60M2

Транзистори з каналом N THT STP26N60M2

 
STP26N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780485
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 13А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
232.80 грн
5+
208.96 грн
6+
166.85 грн
17+
158.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
13А(1441372)
Опір в стані провідності
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
169Вт(1740744)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP26N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780485
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 13А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
232.80 грн
5+
208.96 грн
6+
166.85 грн
17+
158.11 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
13А
Опір в стані провідності
0,165Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
169Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
34нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g