0 0 0
  8. STP26N65DM2

Транзистори з каналом N THT STP26N65DM2

 
STP26N65DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780599
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 12,6А; Idm: 53А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
300.33 грн
5+
214.52 грн
13+
203.40 грн
500+
200.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
12,6А(1628412)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35,5нКл(1775137)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
53А(1810500)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP26N65DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780599
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 12,6А; Idm: 53А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
300.33 грн
5+
214.52 грн
13+
203.40 грн
500+
200.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
12,6А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35,5нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
53А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g