0 0 0
  8. STP28N60DM2

Транзистори з каналом N THT STP28N60DM2

 
STP28N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780559
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 14А; Idm: 84А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
300.33 грн
5+
215.32 грн
13+
203.40 грн
500+
200.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
84А(1758593)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP28N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780559
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 14А; Idm: 84А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
300.33 грн
5+
215.32 грн
13+
203.40 грн
500+
200.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
34нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
84А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g