0 0 0
  8. STP28N60M2

Транзистори з каналом N THT STP28N60M2

 
STP28N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080053
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 14А; 170Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
260.48 грн
3+
234.28 грн
6+
188.21 грн
15+
177.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 55 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
14А(1441298)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ || Plus(1827828)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,99 g
 
Транзистори з каналом N THT STP28N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 080053
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 650В; 14А; 170Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
260.48 грн
3+
234.28 грн
6+
188.21 грн
15+
177.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 55 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
14А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ || Plus
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,99 g