0 0 0
  8. STP310N10F7

Транзистори з каналом N THT STP310N10F7

 
STP310N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 080058
Транзистор: N-MOSFET; DeepGATE™; польовий; 100В; 120А; 315Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
442.34 грн
3+
397.87 грн
4+
306.54 грн
9+
289.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 53 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,7мОм(1479288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
315Вт(1742090)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
DeepGATE™(1827840) STripFET™ VII(1827841)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,015 g
 
Транзистори з каналом N THT STP310N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 080058
Транзистор: N-MOSFET; DeepGATE™; польовий; 100В; 120А; 315Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
442.34 грн
3+
397.87 грн
4+
306.54 грн
9+
289.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 53 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
315Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
DeepGATE™
Технологія
STripFET™ VII
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,015 g