0 0 0
  8. STP315N10F7

Транзистори з каналом N THT STP315N10F7

 
STP315N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 780680
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
447.48 грн
4+
325.37 грн
9+
307.59 грн
500+
298.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,7мОм(1479288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
315Вт(1742090)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
180нКл(1479420)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
720А(1758570)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP315N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 780680
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
447.48 грн
4+
325.37 грн
9+
307.59 грн
500+
298.32 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
315Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
180нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
720А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g