0 0 0
  8. STP32NM50N

Транзистори з каналом N THT STP32NM50N

 
STP32NM50N
 
STMicroelectronics
Артикул: 780582
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
281.26 грн
5+
253.45 грн
6+
194.66 грн
14+
183.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
13,86А(1906012)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62,5нКл(1906013)
Технологія
MDmesh™ ||(1827830)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
88А(1789233)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP32NM50N
STMicroelectronics
Артикул: 780582
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; польовий; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
281.26 грн
5+
253.45 грн
6+
194.66 грн
14+
183.54 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
13,86А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62,5нКл
Технологія
MDmesh™ ||
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
88А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g