0 0 0
  8. STP33N60DM2

Транзистори з каналом N THT STP33N60DM2

 
STP33N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780642
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
402.03 грн
4+
288.41 грн
10+
272.52 грн
500+
267.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
15,5А(1609997)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
43нКл(1479408)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
96А(1758594)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP33N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780642
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 15,5А; Idm: 96А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
402.03 грн
4+
288.41 грн
10+
272.52 грн
500+
267.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
15,5А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
43нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
96А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g