0 0 0
  8. STP33N60DM6

Транзистори з каналом N THT STP33N60DM6

 
STP33N60DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 436914
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 16А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
298.88 грн
3+
269.23 грн
5+
209.14 грн
14+
197.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
128мОм(1713748)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
MDmesh™ M6(1827833)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,975 g
 
Транзистори з каналом N THT STP33N60DM6
STMicroelectronics
Артикул: 436914
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 16А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
298.88 грн
3+
269.23 грн
5+
209.14 грн
14+
197.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
128мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35нКл
Технологія
MDmesh™ M6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,975 g