0 0 0
  8. STP33N60M2

Транзистори з каналом N THT STP33N60M2

 
STP33N60M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780549
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 16А; Idm: 104А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
375.81 грн
4+
270.14 грн
11+
255.04 грн
500+
251.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
45,5нКл(1960007)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
104А(1759380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP33N60M2
STMicroelectronics
Артикул: 780549
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 16А; Idm: 104А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
375.81 грн
4+
270.14 грн
11+
255.04 грн
500+
251.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
45,5нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
104А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g