0 0 0
  8. STP34NM60ND

Транзистори з каналом N THT STP34NM60ND

 
STP34NM60ND
 
STMicroelectronics
Артикул: 780666
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 600В; 18А; Idm: 116А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
402.03 грн
4+
288.41 грн
10+
273.32 грн
500+
267.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80,4нКл(1960008)
Технологія
MDmesh™ M5(1862345)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
116А(1799528)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP34NM60ND
STMicroelectronics
Артикул: 780666
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 600В; 18А; Idm: 116А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
402.03 грн
4+
288.41 грн
10+
273.32 грн
500+
267.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80,4нКл
Технологія
MDmesh™ M5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
116А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g