0 0 0
  8. STP35N60DM2

Транзистори з каналом N THT STP35N60DM2

 
STP35N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 080060
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 17А; 210Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
319.25 грн
3+
287.48 грн
5+
232.69 грн
12+
219.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
17А(1441577)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
210Вт(1740833)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,023 g
 
Транзистори з каналом N THT STP35N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 080060
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 17А; 210Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
319.25 грн
3+
287.48 грн
5+
232.69 грн
12+
219.98 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
17А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
210Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,023 g