0 0 0
  8. STP35N60M2-EP

Транзистори з каналом N THT STP35N60M2-EP

 
STP35N60M2-EP
 
STMicroelectronics
Артикул: 780585
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 16А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
384.55 грн
4+
322.58 грн
9+
304.30 грн
100+
293.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
41нКл(1479238)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP35N60M2-EP
STMicroelectronics
Артикул: 780585
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 16А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
384.55 грн
4+
322.58 грн
9+
304.30 грн
100+
293.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
41нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g