0 0 0
  8. STP35N65DM2

Транзистори з каналом N THT STP35N65DM2

 
STP35N65DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780460
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 20А; Idm: 90А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
503.73 грн
3+
361.51 грн
8+
341.65 грн
500+
336.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56,3нКл(1825893)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
90А(1797079)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP35N65DM2
STMicroelectronics
Артикул: 780460
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 650В; 20А; Idm: 90А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
503.73 грн
3+
361.51 грн
8+
341.65 грн
500+
336.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56,3нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
90А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g