0 0 0
  8. STP3N80K5

Транзистори з каналом N THT STP3N80K5

 
STP3N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 780427
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,6А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.85 грн
5+
97.73 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
1,6А(1479099)
Опір в стані провідності
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
9,5нКл(1479097)
Технологія
MDmesh™ K5(1827826)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP3N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 780427
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 800В; 1,6А; Idm: 10А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
108.85 грн
5+
97.73 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
1,6А
Опір в стані провідності
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
9,5нКл
Технологія
MDmesh™ K5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g