0 0 0
  8. STP40N65M2

Транзистори з каналом N THT STP40N65M2

 
STP40N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 780556
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 20А; Idm: 128А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
454.47 грн
4+
325.76 грн
9+
308.28 грн
500+
302.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56,5нКл(1906014)
Технологія
MDmesh™ M2(1827843)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
128А(1823202)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP40N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 780556
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 20А; Idm: 128А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
454.47 грн
4+
325.76 грн
9+
308.28 грн
500+
302.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56,5нКл
Технологія
MDmesh™ M2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
128А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g