0 0 0
  8. STP42N65M5

Транзистори з каналом N THT STP42N65M5

 
STP42N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080073
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 20,8А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
927.57 грн
2+
658.35 грн
5+
621.82 грн
250+
615.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 27 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
20,8А(1520451)
Опір в стані провідності
79мОм(1479128)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
190Вт(1740822)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
MDmesh™ V(1827832)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g
 
Транзистори з каналом N THT STP42N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080073
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 20,8А; 190Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
927.57 грн
2+
658.35 грн
5+
621.82 грн
250+
615.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 27 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
20,8А
Опір в стані провідності
79мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
190Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
MDmesh™ V
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,05 g