0 0 0
  8. STP45N10F7

Транзистори з каналом N THT STP45N10F7

 
STP45N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 780550
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 32А; Idm: 180А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.43 грн
5+
127.12 грн
10+
101.70 грн
25+
100.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
STripFET™ F7(1786522)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
180А(1758616)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP45N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 780550
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 32А; Idm: 180А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.43 грн
5+
127.12 грн
10+
101.70 грн
25+
100.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
25нКл
Технологія
STripFET™ F7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
180А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g