0 0 0
  8. STP45N60DM2AG

Транзистори з каналом N THT STP45N60DM2AG

 
STP45N60DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 780662
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
520.41 грн
3+
359.13 грн
8+
340.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
93мОм(1643349)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Технологія
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
136А(1790443)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,044 g
 
Транзистори з каналом N THT STP45N60DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 780662
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
520.41 грн
3+
359.13 грн
8+
340.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 35 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
93мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
56нКл
Технологія
MDmesh™ DM2
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
136А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,044 g