0 0 0
  8. STP4N90K5

Транзистори з каналом N THT STP4N90K5

 
STP4N90K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 780479
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 1,9А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
152.55 грн
5+
137.45 грн
9+
109.64 грн
25+
103.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
900В(1441403)
Струм стока
1,9А(1479102)
Опір в стані провідності
2,1Ом(1459402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
60Вт(1701959)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
5,3нКл(1693778)
Технологія
MDmesh™ K5(1827826)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP4N90K5
STMicroelectronics
Артикул: 780479
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 1,9А; Idm: 12А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
152.55 грн
5+
137.45 грн
9+
109.64 грн
25+
103.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
900В
Струм стока
1,9А
Опір в стані провідності
2,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
60Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
5,3нКл
Технологія
MDmesh™ K5
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g