0 0 0
  8. STP50N60DM6

Транзистори з каналом N THT STP50N60DM6

 
STP50N60DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 780606
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 23А; Idm: 137А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
544.25 грн
3+
390.11 грн
7+
369.45 грн
500+
362.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Технологія
MDmesh™ M6(1827833)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
137А(1933306)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT STP50N60DM6
STMicroelectronics
Артикул: 780606
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 23А; Idm: 137А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
544.25 грн
3+
390.11 грн
7+
369.45 грн
500+
362.30 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
55нКл
Технологія
MDmesh™ M6
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
137А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g