Транзистори з каналом N THT STP50N65DM6

 
STP50N65DM6
 
Артикул: 606162
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 33А; Idm: 120А; 250Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
605.43 грн
3+
460.03 грн
6+
434.61 грн
100+
433.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
STMicroelectronics(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
33А(1479307)
Опір в стані провідності
91мОм(1801463)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52,5нКл(1913300)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N THT STP50N65DM6
STMicroelectronics
Артикул: 606162
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 33А; Idm: 120А; 250Вт; TO220-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
605.43 грн
3+
460.03 грн
6+
434.61 грн
100+
433.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
STMicroelectronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
33А
Опір в стані провідності
91мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g